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    032018-12
    到目前為止,所有的IGBT設計都有一個(gè)共同點(diǎn)平面柵極結構。這種形狀的柵極形成一個(gè)前文所述的JFET結構,以及發(fā)射極區軟弱的電導調制效應。對于平面柵極的IGBT,載流子的濃度從集電極到發(fā)射極之間逐步降低。新一代IGBT.. MORE
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